produktens egenskaper
TYP
BESKRIVA
kategori
Diskreta halvledarprodukter
Transistor – FET, MOSFET – Singel
tillverkare
Infineon Technologies
serier
CoolGaN™
Paket
Tejp och rulle (TR)
Skjuvband (CT)
Digi-Reel® anpassad rulle
Produktstatus
upphört
FET typ
N kanal
teknologi
GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source Voltage (Vdss)
600V
Ström vid 25°C – Kontinuerlig dränering (Id)
31A (Tc)
Drivspänning (Max Rds On, Min Rds On)
-
På-motstånd (max) vid olika Id, Vgs
-
Vgs(th) (max) vid olika Id
1,6V @ 2,6mA
Vgs (max)
-10V
Ingångskapacitans (Ciss) vid olika Vds (max)
380pF vid 400V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
installationstyp
Typ av ytmontering
Leverantörsenhetsförpackning
PG-DSO-20-87
Paket/kapsling
20-PowerSOIC (0,433 tum, 11,00 mm bred)
Grundproduktnummer
IGOT60
Media och nedladdningar
RESURSTYP
LÄNK
Specifikationer
IGOT60R070D1
GaN urvalsguide
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
Andra relaterade dokument
GaN i adaptrar/laddare
GaN i Server och Telekom
Tillförlitlighet och kvalificering av CoolGaN
Varför CoolGaN
GaN i trådlös laddning
videofil
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT halvbrygga utvärderingsplattform med GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – det nya kraftparadigmet
2500 W fullbro-totempol PFC-utvärderingstavla med CoolGaN™ 600 V
HTML-specifikationer
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Kort
IGOT60R070D1
Miljö- och exportklassificering
ATTRIBUT
BESKRIVA
RoHS-status
Överensstämmer med ROHS3-specifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 timmar)
REACH-status
Icke-REACH-produkter
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
